Polisilici d'alta qualitat 6N-8N

 

El polisilici d'alta puresa en el rang 6N–8N (99,9999%–99,999999%) s'utilitza principalment en aplicacions electròniques de semiconductors i-alta gamma on el control d'impureses afecta directament el rendiment i el rendiment del dispositiu.

A diferència del polisilici de grau inferior-que s'utilitza en aplicacions solars estàndard, el material 6N-8N està dissenyat per a entorns on els oligoelements com el bor i el fòsfor s'han de controlar estrictament a nivells de ppb. Fins i tot petites variacions en el contingut d'impureses poden afectar la resistivitat, el comportament de creixement del cristall i la qualitat final de l'hòstia.

Aquest grau es produeix normalment mitjançant processos de purificació avançats com el mètode Siemens, seguit d'un estricte control de qualitat per garantir la consistència del lot.

Obteniu l'últim preu

Resposta ràpida en 12 hores

 

 

Item	Especificació
Puresa	6N – 8N (99.9999% – 99.999999%)
Resistivitat	Major o igual a 1000–3000 Ω·cm
Bor (B)	Menor o igual a 0,1 ppb
Fòsfor (P)	Menor o igual a 0,1 ppb
Carboni (C)	Menor o igual a 0,5 ppm
Oxigen (O)	Menor o igual a 0,5 ppm
Impureses metàl·liques	Menor o igual al nivell de ppb
Formulari	Tros / Vara / Granular
Mida	Personalitzat

 

 

En aplicacions pràctiques, la diferència entre el polisilici 6N i 8N no és només la puresa numèrica, sinó com funciona en el creixement de cristalls i la fabricació de dispositius.

Polisilici 6N

Apte per a-aplicacions solars de gamma alta i algunes aplicacions electròniques

Rendiment equilibrat de costos-

Estable per al creixement mono-cristal·lí

 

Polisilici 7N-8N

Necessari per a aplicacions de grau-de semiconductors

Contingut de dopants ultra-baix

Major control sobre la resistivitat i la densitat de defectes

Millor rendiment en la producció d'hòsties

 

👉 Escollir el grau de polisilici adequat és fonamental-aprendrecom seleccionar entre 6N i 8N polisilicisegons el rendiment del dispositiu i els requisits del procés.

 

 

Fabricació de semiconductors

S'utilitza per a:

• creixement de silici d'un sol cristall (CZ / FZ)
• producció d'hòsties
• circuits integrats

El control d'impureses afecta directament el rendiment del dispositiu i la taxa de rendiment.

 

Cèl·lules solars{0}}d'alta eficiència

Aplicat a:

• silici mono-cristal·lí
• mòduls fotovoltaics{0}}d'alta eficiència

Una puresa més alta ajuda a reduir les pèrdues de recombinació i millorar l'eficiència.

 

Materials electrònics avançats

S'utilitza a:

• electrònica de potència
• sensors
• components de precisió basats en silici{0}

Obteniu preu i especificacions

Cotització gratuïta disponible

 

 

El polisilici d'alta puresa es produeix normalment mitjançant la deposició química de vapor (CVD) en un sistema tancat.

Els punts clau de control inclouen:

• purificació de triclorosilà (TCS)
• control estricte de l'entorn de reacció
• prevenció de la contaminació durant la deposició
• post{0}}processament i manipulació en condicions netes

Cada lot es prova per garantir:

• consistència d'impureses
• estabilitat de la resistivitat
• estructura uniforme

 

 

A causa dels requisits d'alta puresa, l'embalatge i la manipulació són crítics.

• envasos al buit o amb gas inert
• protecció contra la-contaminació
• entorn net de manipulació

Un maneig inadequat pot introduir impureses i afectar el rendiment.

 

 

• capacitat de producció estable amb el suport de la-fabricació a gran escala
• subministrament de lots consistent amb un estricte control de qualitat
• producció anual i capacitat de vendes de 150.000 TM
• més de 30 anys d'experiència en la indústria en ferroaliatges i materials de silici
• termini de lliurament: 10-20 dies depenent de la mida de la comanda
• especificacions personalitzades disponibles per a diferents aplicacions

Amb dècades d'experiència en producció i exportació, entenem els requisits dels diferents mercats i ens assegurem un subministrament estable, una qualitat constant i un lliurament fiable per a una cooperació-a llarg termini.Més informació sobre ZhenAn

 

 

Cada lot inclou:

• COA (Certificat d'anàlisi)
• informe d'avaria d'impureses
• dades de resistivitat

Garantint la traçabilitat i la coherència.

 

Si busqueu polisilici 6N-8N per a aplicacions de semiconductors o d'alta-eficiència, la consistència i el control d'impureses són fonamentals.

Poseu-vos en contacte amb nosaltres per obtenir especificacions detallades, COA i la darrera cotització.

 

Sol·liciteu l'últim pressupost

 

 

Quina diferència hi ha entre el polisilici de grau-solar i de grau semiconductor-?

El polisilici de grau-semiconductor requereix nivells d'impureses molt més baixos, especialment bor i fòsfor, i un control més estricte de les propietats elèctriques.

Per què el bor i el fòsfor són crítics?

Actuen com a dopants i influeixen directament en la conductivitat elèctrica i el comportament del dispositiu.

Es pot utilitzar polisilici 6N per a semiconductors?

En alguns casos, però la majoria d'aplicacions de semiconductors requereixen 7N–8N per a un millor rendiment.

Com afecta la puresa al creixement dels cristalls?

Una puresa més alta redueix els defectes i millora el rendiment en la producció d'hòsties.

La personalització està disponible?

Sí, la mida, la forma i les especificacions es poden ajustar en funció dels requisits de l'aplicació.

 

 

 

Etiquetes populars: polisilici d'alta qualitat 6n-8n, fabricants, proveïdors, fàbrica de polisilici d'alta qualitat de la Xina 6n-8n